Samsung стала первой компанией в индустрии памяти, которая запустила массовое производство Quad-Level Cell (QLC) V-NAND 9-го поколения. Технологический гигант впервые анонсировал новую память V9 QLC в августе, а на этой неделе подтвердил, что новейшие технологии уже на конвейерах.
Новая память стала доступной для массового производства всего через несколько месяцев после запуска трехуровневой ячейки (TLC) 9-го поколения. Samsung начала производить TLC V-NAND в апреле, а теперь запускает новые QLC технологии. Это поможет ей стать лидером на рынке флэш-памяти с большой емкостью и высокой скоростью.
QLC V-NAND 9-го поколения отмечается увеличением плотности битов на 86% по сравнению с предыдущей версией V7 QLC. Она обеспечивает скорость ввода-вывода до 3,2 ГБ/с и поддерживает буферизацию SLC/TLC.
Samsung использует новую технологию Designed Mold для улучшения интервалов между клетками памяти, что обеспечивает их стабильность и повышает эффективность.
Технология Channel Hole Etching позволяет создавать наибольшее количество слоев памяти, а Predictive Program контролирует изменения в клетках, чтобы уменьшить ошибки.
С новым QLC V-NAND 9-го поколения Samsung обещает обеспечить усовершенствованные решения SSD, которые отвечают потребностям эры искусственного интеллекта.
Источник: Samsung
